Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
A. J. Kordyasz, N. Le Neindre, M. Parlog, G. Casini, R. Bougault, G. Poggi, A. Bednarek, M. Kowalczyk, O. Lopez, Y. Merrer, E. Vient, J. D. Frankland, E. Bonnet, A. Chbihi, D. Gruyer, B. Borderie, G. Ademard, P. Edelbruck, M. F. Rivet, F. Salomon, M. Bini, S. Valdré, E. Scarlini, G. Pasquali, G. Pastore, S. Piantelli, A. Stefanini, A. Olmi, S. Barlini, A. Boiano, E. Rosato, A. Meoli, A. Ordine, G. Spadaccini, G. Tortone, M. Vigilante, E. Vanzanella, M. Bruno, S. Serra, L. Morelli, M. Guerzoni, R. Alba, D. Santonocito, C. Maiolino, M. Cinausero, F. Gramegna, T. Marchi, T. Kozik, P. Kulig, T. Twaróg, Z. Sosin, K. Ga̧sior, A. Grzeszczuk, W. Zipper, J. Sarnecki, D. Lipiński, H. Wodzińska, A. Brzozowski, M. Teodorczyk, M. Gajewski, A. Zagojski, K. Krzyżak, K. J. Tarasiuk, Z. Khabanowa and Ł. Kordyasz
Eur. Phys. J. A, 51 2 (2015) 15
DOI: https://doi.org/10.1140/epja/i2015-15015-2